全部分类

设备扩展性强,通过选件可以提高电流和测试范围。支持电流阶梯升级至1250A。采用脉冲测试法,脉冲宽度为美军标规定的300uS。在PC窗口提示下输入被测器件的测试条件点击即可完成测试任务。被测器件引腿接触自动判断功能。系统采用带有开尔文感应结构的测试工装,自动补偿由于系统内部及测试电缆长度引起的任何压降,保证测试结果准确可靠。

ENJ2005-A 半导体分立器件测试系统


  基础配置:

技术参数

ENJ2005-A型

主极电压

10mV-2000V

主极电流

100nA-50A

扩展电流

100A、200A、400A、500A

电压分辨率

1mV

电流分辨率

100nA

测试精度

0.5%+2LSB

测试速度

0.5mS/参数

测试参数:

漏电参数:IR、ICBO、LCEO/S/X、IDSS/X、IDOFF、IDRM、IRRM、ICOFF、IDGO、ICES、IGESF、IGESR、IEBO、IGSSF、IGSSR、IGSS、IGKO、IR(OPTO)
击穿参数:BVCEO   BVCES(300μS Pulse above 10mA)BVDSS、 VD、  BVCBO、 VDRM、 VRRM、 VBB、BVR 、 VD+、VD-、BVDGO、BVZ、BVEBO、 BVGSS、 BVGKO
增益参数:hFE、CTR、gFS、
导通参数:VCESAT、VBESAT、VBEON、 VF、VT、VT+、VT-、 VON、VDSON、VDON、VGSON、VF(Opto-Diode)VGSTH、VGETH、VTM、VSD、
                IDON、VSAT、IDON、 Notch = IGT1,IGT4、ICON、VGEON、VO(Regulator)、IIN(Regulator)
混合参数:rDSON、gFS、Input Regulation、Output Regulation
关断参数:VGSOFF     
触发参数:IGT、VGT
保持参数:IH、IH+、IH-
锁定参数:IL、IL+、IL-


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